Patent
[14] 양자점을 이용한 광학 기반 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
10-2026-0035110. Feb, 2026. 허근, 백운혁, 장원영, 김현수, 김형민, 김장현, 현청일.
[13] 이차원 싸이리스터 기반 원칩 기능성 소자 및 그 제조 방법
10-2025-0216743. Dec, 2025. 허근, 장원영, 김현수, 진성민, 김형민, 김장현, 봉정우, 황상준.
[12] 비대칭 듀얼 게이트 구조의 이차원 물질 채널을 사용한 강유전체 기반의 시냅스 소자 및 그 제조 방법
10-2025-0211278. Dec,2025. 허근, 장원영, 김현수, 최연호.
[11] 반도체 소자의 제조 방법
10-2024-0147548. Oct, 2024. 허근, 이재현, 문지윤, 김승일, 봉정우, 장현식.
[10] 고집적 및 저전력화를 위한 아날로그 디지털 변환기 및 이를 이용한 아날로그 신호의 디지털 변환 방법 (ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER FOR HIGH INTEGRATION AND LOW POWER CONSUMPTION AND METHOD FOR ANALOG SIGNAL DIGITAL CONVERSION USING THE SAME)
10-2022-0068196. Jun, 2022. 박진홍, 허근, 최재웅, 조정익, 이주희, 이호성.
[9] 광 검출기 및 이를 포함하는 이미지 센서 (PHOTODETECTOR AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME)
10-2021-0067460. May, 2021. 김승준, 박진홍, 이성훈, 허근.
[8] 인공 시냅스 소자 및 이의 제조방법 (Artificial synaptic device and method for manufacturing the same)
10-2020-0119915. Sep ,2020. 박진홍, 허근, 유광위, 구지완, 강동호.
[7] 반도체 소자 및 그 제조 방법 (SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD HAVING THE SAME)
10-2019-0078909. Jul ,2019. 박진홍, 정길수, 허근, 김승준.
[6] 시냅스 소자 및 이의 제조 방법 (Synapse device and method of fabricating thereof)
10-2019-0055291, May, 2019. 박진홍, 허근, 조성재, 이성주.
[5] 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자 (NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE HAVING 3-DIMENSION VERTICAL STRUCTURE)
10-2019-0054471. May ,2019. 박진홍, 정길수, 허근
[4] 자발 분극 동작 원리를 이용한 뉴런 소자 (NEURON DEVICE USING SPONTANEOUS POLARIZATION SWITCHING PRINCIPLE)
10-2019-0049383. Apr, 2019. 박진홍, 김승준, 허근, 김형준, 오세용.
[3] 2T1C 구조를 갖는 멀티 레벨 CMOS 랜덤 액세스 메모리 및 그 제조방법 (MULTI-LEVEL CMOS RANDOM-ACCESS MEMORY HAVING 2-TRANSISTOR 1-CAPACITOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF)
10-2018-0068304. Jun, 2018. 조성재, 박진홍, 허근, 이재윤.
[2] 카본 나노 튜브들을 갖는 시냅스를 포함하는 뉴로모픽 소자 (Neuromorphic Device Including a Synapse Having Carbon Nano-Tubes)
10-2017-0022014. Feb, 2017. 최용수, 허근, 이형동.
[1] 매립게이트구조를 구비한 반도체장치 및 그 제조 방법, 그를 구비한 메모리셀 (SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BURIED GATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MEMORY CELL HAVING THE SAME)
10-2015-0185152. Dec, 2015. 김동수, 임성원, 김은정, 장현진, 허근, 김지현.